Fig.2 shows a snubber circuit. Answer the following Questions 図2は, スナバ回路の回路図である。 以下の問に答えよ。 1. Exprain the main function of the resisitor R. 抵抗器 R の主目的を述べよ。 2. Find the required capacitance of C to suppress the dv/dt less than 1 kV/ us where the initial collector current is 2000A before the turn-off. ターンオフ前のコレクタ電流が 2000 A の時, dv/dt を 1kV/μs 以下に抑制するため のCの静電容量を求めよ。 3. Draw the turn-off waveform of the collector-to-emitter voltage of the IGBT where the di/dt is assumed to be 10kA/ μs and the final voltage is 2000 V. IGBT のターンオフ時の di/dt を 10kA/μs, 最終電圧を 2000 V として, コレクタ・ エミッタ間電圧の波形を描け。 4. Find the fall time and voltage where the collector current reach zero. 降下時間とコレクタ電流が零になった時の電圧を求めよ。 D空 R Fig. 2 Snubber circuit./nThe below Table shows the specification required for a gate drive circuit and the driven MOSFETs in a buck converter. Answer the following Questions 下表は, 降圧チョッパ回路に用いるゲートドライブ回路と駆動される MOSFET の仕様である。 以 下の問に答えよ。 DC input voltage DC output voltage DC output current Switching frequency Gate resistor Gate driving voltage Drain-to-source voltage Drain current On-state resistance Forward transfer conductance Threshold voltage Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance E Vont Lout R₂ E Vas Ia Ran Uf- Vih Ci Coss Cras 100 V 50 V 10 A 20 kHz 10 2 +10 V 250 V 30 A 100 m2 20 S 5 V 10,000 pF 1000 pF 100 pF 1. Find the rise time Tr and the fall time Tf. 上昇時間 Tr と降下時間 Tf を求めよ。 2. Find the di/dt across the MOSFET in turn-on and turn-off transitions. MOSFET がターンオン・ターンオフする際の di/dt を求めよ。 3. It is requested to reduce the dv/dt to a half in a turn-on transition without any change in the turn off transition. Answer the possible ways. ターンオフ時には影響を与えずに, ターンオン時のdv/dt を2倍にしたい。 可能な方法を答え よ。

Fig: 1

Fig: 2